
Test Method for Estimating Electromigration Median Time-To-Failure and Sigma of Integrated Circuit Metallizations
NORM herausgegeben am 1.1.1989
Bezeichnung normen: ASTM F1260-89
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 1.1.1989
Zahl der Seiten: 7
Gewicht ca.: 21 g (0.05 Pfund)
Land: Amerikanische technische Norm
Kategorie: Technische Normen ASTM
Keywords:
Accelerated aging/testing-semiconductors, Ambient stress temperature, Current-density stress, Defects-semiconductors, Electrical conductors-semiconductors, Electromigration, Failure end point-electronic components/devices, Integrated circuits, Metallization, Microelectronic device processing, Sigma, Silicon-semiconductor applications, Stress-electronic components/devices, Temperature tests-semiconductors, Test structures, Time to failure, Voltage