Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques (Withdrawn 2003)
NORM herausgegeben am 10.1.2001
Bezeichnung normen: ASTM F978-02
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 10.1.2001
Zahl der Seiten: 8
Gewicht ca.: 24 g (0.05 Pfund)
Land: Amerikanische technische Norm
Kategorie: Technische Normen ASTM
Keywords:
activation energy, deep levels, DLTS, semiconductor silicon, trap density, transient capacitance, ICS Number Code 29.045 (Semiconducting materials)