ASTM F978-90(1996)e1

Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques (Includes all amendments And changes 3/2/2021).

NORM herausgegeben am 10.1.2001

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Informationen über die Norm:

Bezeichnung normen: ASTM F978-90(1996)e1
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 10.1.2001
Zahl der Seiten: 8
Gewicht ca.: 24 g (0.05 Pfund)
Land: Amerikanische technische Norm
Kategorie: Technische Normen ASTM

Die Annotation des Normtextes ASTM F978-90(1996)e1 :

Keywords:
activation energy, deep levels, DLTS, semiconductor silicon, trap density, transient capacitance, ICS Number Code 29.045 (Semiconducting materials)