Measurement of diffusion length of minority carriers in silicon wafers by the surface photovoltage method
NORM herausgegeben am 1.3.2010
Bezeichnung normen: ČSN 364639
Zeichen: 364639
Katalog-Nummer: 85301
Ausgabedatum normen: 1.3.2010
Zahl der Seiten: 8
Gewicht ca.: 24 g (0.05 Pfund)
Land: Tschechische technische Norm
Kategorie: Technische Normen ČSN
Tato testovací metoda pro určení difúzní délky minoritních nosičů proudu neovlivňuje vlastnosti vzorku, protože vyžaduje jen minimální úpravu povrchu pro měření. Využívá samovolně vzniklé oblasti prostorového náboje při spodním povrchu polovodiče pro rozdělení nosičů náboje generovaných světlem a difundujících z hloubky objemu vzorku k povrchu. To vede ke vzniku napětí, které pulzuje v rytmu přerušování světla a indukuje se pomocí kapacitní vazby na elektrody. Světlo různých vlnových délek proniká různě hluboko do polovodiče, takže fotogenerované nosiče difundují z různé hloubky a dávají proto signál, který závisí na hloubce průniku záření a také na difúzní délce. Matematická závislost fotonapětí na absorpčním koeficientu záření a difúzní délce je v normě uvedena spolu s návodem jak ji využít pro vyhodnocení. Konfigurace měření, při které se využívá spodní, neosvětlená oblast prostorového náboje, potlačuje vliv horní oblasti prostorového náboje na měřené spektrum, což zjednodušuje vyhodnocení. Při měření se udržuje konstantní světelný tok dopadající na vzorek z monochromátoru v oboru 700-1200 nm užitím spektrálně nezávislého detektoru a pomocí lock-in zesilovače se ze vzorku snímá napětí. Měření, stejně jako vyhodnocování, se provádí automaticky pomocí počítače