GB 10276-1988

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS142

NORM herausgegeben am 1.1.1988

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The information about the standard:

Designation standards: GB 10276-1988
Note: UNGÜLTIG
Publication date standards: 1.1.1988
Country: Chinese technical standard
Kategorie: Technische Normen GB