
Detail specification for electronic components--Bipolar transistors for ambient-rated low and high frequency amplification types 3DG111B, 3DG111C, 3DG111E, 3DG111F
NORM herausgegeben am 1.1.1986
Bezeichnung normen: GB 5820.2-1986
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 1.1.1986
Land: Chinesische technische Norm
Kategorie: Technische Normen GB