
Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 1: Test method for bias temperature instability
NORM herausgegeben am 28.8.2026
Bezeichnung normen: GB/T 48164.1-2026
Anmerkung: Execute Date: march 2027
Ausgabedatum normen: 28.8.2026
Land: Chinesische technische Norm
Kategorie: Technische Normen GB