GB/T 48170-2026

Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) based power conversion devices

NORM herausgegeben am 28.8.2026

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Informationen über die Norm:

Bezeichnung normen: GB/T 48170-2026
Anmerkung: Execute Date: march 2027
Ausgabedatum normen: 28.8.2026
Land: Chinesische technische Norm
Kategorie: Technische Normen GB