Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
NORM herausgegeben am 21.4.2022
Bezeichnung normen: IEC 63284-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 21.4.2022
Zahl der Seiten: 25
Gewicht ca.: 75 g (0.17 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
IEC 63284:2022 covers the protocol of performing a stress procedure and a corresponding test method to evaluate the reliability of gallium nitride (GaN) power transistors by inductive load switching, specifically hard-switching stress LIEC 63284:2022 couvre le protocole dexecution dune procedure de contrainte et une methode dessai correspondante, en vue devaluer la fiabilite des transistors de puissance a base de nitrure de gallium (GaN) par la commutation sur charge inductive, en particulier la contrainte de commutation dure.