ASTM F996-11

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

Automatische name übersetzung:

Standard-Testverfahren zum Trennen eines ionisierende Strahlung-induzierten MOSFET Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten Aufgrund Gefangen Holes and Interface Staaten Mit den unterschwelligen Strom-Spannungskenn Oxid



NORM herausgegeben am 1.1.2011


Sprache
Realisierung
ZugänglichkeitAUF LAGER
Preis70.00 ohne MWS
70.00

Informationen über die Norm:

Bezeichnung normen: ASTM F996-11
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 1.1.2011
SKU: NS-57210
Zahl der Seiten: 7
Gewicht ca.: 21 g (0.05 Pfund)
Land: Amerikanische technische Norm
Kategorie: Technische Normen ASTM

Kategorie - ähnliche Normen:

Transistors

Die Annotation des Normtextes ASTM F996-11 :

Keywords:
c/v characteristics, current-voltage characteristics, interface states, ionizing radiation, MOSFET, oxide-trapped holes, threshold voltage shift, trapped holes, Current measurement--semiconductors, Electrical conductors (semiconductors), Gate and field oxides, Ionizing radiation, MOSFETs, Radiation exposure--electronic components/devices, Silicon semiconductors, Threshold voltage, ICS Number Code 31.080.30 (Transistors)

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