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E DIN IEC 60747-9:2004-09 (Entwurf)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated gate bipolar transistors (IGBTs).
Automatische name übersetzung:
Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs).
NORM herausgegeben am 1.9.2004
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: E DIN IEC 60747-9:2004-09
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 1.9.2004
SKU: NS-303076
Zahl der Seiten: 129
Gewicht ca.: 418 g (0.92 Pfund)
Land: Deutsche technische Norm (Entwurf)
Kategorie: Technische Normen DIN
Die Annotation des Normtextes E DIN IEC 60747-9:2004-09 :
Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs).
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