Cookies
Wir benötigen Ihre Einwilligung zur Verwendung der einzelnen Daten, damit Sie unter anderem Informationen zu Ihren Interessen einsehen können. Klicken Sie auf "OK", um Ihre Zustimmung zu erteilen.
GB/T 14863-2013
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
Automatische name übersetzung:
Verfahren zum Nettoladungsträgerdichte im Silizium-Epitaxie-Schichten, die durch spannungs Kapazität gated und ungated Dioden
NORM herausgegeben am 31.12.2013
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: GB/T 14863-2013
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 31.12.2013
SKU: NS-349395
Land: Chinesische technische Norm
Kategorie: Technische Normen GB
Empfehlungen:
Aktualisierung der technischen Normen
Wollen Sie sich sicher sein, dass Sie nur die gültigen technischen Normen verwenden?
Wir bieten Ihnen eine Lösung, die Ihnen eine Monatsübersicht über die Aktualität der von Ihnen angewandten Normen sicher stellt.
Brauchen Sie mehr Informationen? Sehen Sie sich diese Seite an.
