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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
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NORM herausgegeben am 28.12.2023
Bezeichnung normen: GB/T 43493.2-2023
Ausgabedatum normen: 28.12.2023
SKU: NS-1164462
Land: Chinesische technische Norm
Kategorie: Technische Normen GB
Letzte Aktualisierung: 2026-05-21 (Zahl der Positionen: 2 279 758)
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