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Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current
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Stromhochspannungs bipolaren Transistoren. Kollektor-Basis (Emitter-Basis) Durchbruchspannung Messung am Emitter (Kollektor) Abschaltstrom
NORM herausgegeben am 1.7.1987
Bezeichnung normen: GOST 18604.27-86
Ausgabedatum normen: 1.7.1987
SKU: NS-383080
Zahl der Seiten: 7
Gewicht ca.: 21 g (0.05 Pfund)
Land: Russische technische Norm
Kategorie: Technische Normen GOST
1.1.1982
1.7.1982
1.7.1986
1.1.1982
1.1.1976
1.1.1976
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Letzte Aktualisierung: 2026-01-26 (Zahl der Positionen: 2 257 479)
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