GOST 18604.7-74
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IEC 60747-7-ed.3.0
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
Automatische name übersetzung:
Halbleiterbauelemente - Einzel-Geräten - Teil 7: Die bipolaren Transistoren
NORM herausgegeben am 16.12.2010
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: IEC 60747-7-ed.3.0
Ausgabedatum normen: 16.12.2010
SKU: NS-411315
Zahl der Seiten: 209
Gewicht ca.: 658 g (1.45 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
Kategorie - ähnliche Normen:
Die Annotation des Normtextes IEC 60747-7-ed.3.0 :
IEC 60747-7:2010 gives the requirements applicable to the following sub-categories of bipolar transistors excluding microwave transistors. - Small signal transistors (excluding switching and microwave applications); - Linear power transistors (excluding switching, high-frequency, and microwave applications); - High-frequency power transistors for amplifier and oscillator applications; - Switching transistors for high speed switching and power switching applications; - Resistor biased transistors. The main changes with respect to previous edition are listed below. a) Clause 1 was amended by adding an item that should be included. b) Clauses 3, 4, 5, 6 and 7 were amended by adding terms, definitions, suitable additions and deletions those should be included. c) The text of the second edition was combined with that of IEC 60747-7-5. This publication is to be read in conjunction with IEC 60747-1:2006. La CEI 60747-7:2010 donne les exigences applicables aux sous-categories suivantes de transistors bipolaires, a lexclusion des transistors micro-ondes. - Transistors petits signaux (a lexclusion des applications en commutation et en micro-ondes); - Transistors de puissance lineaire (a lexclusion des applications en commutation, a haute frequence et en micro-ondes); - Transistors de puissance haute frequence pour applications en amplificateurs et en oscillateurs; - Transistors de commutation pour applications en commutation a grande vitesse et en commutation de puissance; - Transistors a resistances de polarisation. Les principaux changements par rapport a ledition precedente sont enumeres ci-dessous. a) Larticle 1 a ete amende par lajout dun element quil convient dinclure. b) Les articles 3, 4, 5, 6 et 7 ont ete amendes en ajoutant des termes et des definitions, ainsi que des ajouts et suppressions adaptes quil convient dinclure. c) Le texte de la deuxieme edition a ete combine a la CEI 60747-7-5. Cette publication doit etre lue conjointement avec la CEI 60747-1:2006.
Zugehörige Änderungen zu dieser Norm:
IEC 60747-7-ed.3.0/Amd.1
Änderung
Alle technischen Informationen anzeigen
Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
(Amendement 1 - Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires)
Änderung herausgegeben am 23.9.2019
Ausgewählte Ausführung:Alle technischen Informationen anzeigen
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