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IEC 60749-26-ed.5.0
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM)
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NORM herausgegeben am 23.12.2025
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: IEC 60749-26-ed.5.0
Ausgabedatum normen: 23.12.2025
SKU: NS-1253487
Zahl der Seiten: 55
Gewicht ca.: 165 g (0.36 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
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Die Annotation des Normtextes IEC 60749-26-ed.5.0 :
IEC 60749-26:2025 establishes the procedure for testing, evaluating, and classifying components and microcircuits in accordance with their susceptibility (sensitivity) to damage or degradation by exposure to a defined human body model (HBM) electrostatic discharge (ESD). The purpose of this document is to establish a test method that will replicate HBM failures and provide reliable, repeatable HBM ESD test results from tester to tester, regardless of component type. Repeatable data will allow accurate classifications and comparisons of HBM ESD sensitivity levels. ESD testing of semiconductor devices is selected from this test method, the machine model (MM) test method (see IEC 60749-27) or other ESD test methods in the IEC 60749 series. Unless otherwise specified, this test method is the one selected. This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition: a) new definitions have been added; b) text has been added to clarify the designation of and allowances resulting from “low parasitics”. The new designation includes the maximum number of pins of a device that can pass the test procedure. L’IEC 60749-26:2025 etablit une procedure pour les essais, l’evaluation et la classification des composants et des microcircuits en fonction de leur susceptibilite (sensibilite) aux dommages ou de leur degradation a la suite de leur exposition a des decharges electrostatiques (DES) sur un modele de corps humain (HBM) defini. Le but du present document est de determiner une methode d’essai permettant de reproduire les defaillances du HBM et de fournir des resultats d’essais de DES de HBM fiables et reproductibles d’un appareil d’essai a un autre, sans tenir compte du type de composant. Les donnees repetables permettent d’etablir des classifications et des comparaisons precises des niveaux de sensibilite aux decharges electrostatiques des HBM. Les essais de DES dispositifs a semiconducteurs sont choisis entre la presente methode d’essai, celle du modele de machine (MM) (voir l’IEC 60749-27) ou toute autre methode d’essai de la serie IEC 60749. Sauf indication contraire, la presente methode d’essai est celle qui prevaut. Cette edition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport a l’edition precedente: a) de nouvelles definitions ont ete ajoutees; b) du texte a ete ajoute pour clarifier la designation de "faibles parasites" et les tolerances qui en decoulent. La nouvelle designation inclut le nombre maximal de broches d’un dispositif qui peut satisfaire a la procedure d’essai.
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