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Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
Automatische name übersetzung:
Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Geräte - Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung von Eigenspannungen MEMS Filme - Wafer Krümmung und Auslegerstrahlablenkungsmethoden
NORM herausgegeben am 5.3.2015
Bezeichnung normen: IEC 62047-16-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 5.3.2015
SKU: NS-583224
Zahl der Seiten: 21
Gewicht ca.: 63 g (0.14 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
IEC 62047-16:2015 specifies the test methods to measure the residual stresses of films with thickness in the range of 0,01 µ to 10 µ in MEMS structures fabricated by wafer curvature or cantilever beam deflection methods. LIEC 62047-16:2015 definit les methodes dessai permettant de mesurer les contraintes residuelles des films dont lepaisseur se situe dans la plage de 0,01 µ a 10 µ dans des structures fabriquees de microsystemes electromecaniques (MEMS) au moyen des methodes de la courbure de la plaquette ou de deviation de poutre en porte-a-faux.
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Letzte Aktualisierung: 2025-08-01 (Zahl der Positionen: 2 211 585)
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