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IEC 62373-1-ed.1.0
Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET
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NORM herausgegeben am 15.7.2020
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: IEC 62373-1-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 15.7.2020
SKU: NS-1000980
Gewicht ca.: 300 g (0.66 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
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Die Annotation des Normtextes IEC 62373-1-ed.1.0 :
IEC 62373-1:2020 provides the measurement procedure for a fast BTI (bias temperature instability) test of silicon based metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). This document also defines the terms pertaining to the conventional BTI test method. L’IEC 62373-1:2020 fournit la methode de mesure pour un essai rapide de BTI (instabilite en temperature sous polarisation) des transistors a effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs (MOSFET) a base de silicium. Le present document definit egalement les termes relatifs a la methode d’essai de BTI conventionnelle.
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