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IEC 63068-5-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 5: Test method for defects using X-ray topography
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NORM herausgegeben am 6.10.2026
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: IEC 63068-5-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 6.10.2026
SKU: NS-1287031
Zahl der Seiten: 31
Gewicht ca.: 93 g (0.21 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
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Die Annotation des Normtextes IEC 63068-5-ed.1.0 :
IEC 63068-5:2026 provides definitions and guidance in use of X-ray topography inspection system for detecting defects in silicon carbide (SiC) homoepitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies X-ray topographic images to enable the detection and categorization of defects in SiC homoepitaxial wafers.
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