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IEC 63601-ed.1.0
Guideline for evaluating bias temperature instability of silicon carbide metal-oxide-semiconductor devices for power electronic conversion
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NORM herausgegeben am 3.2.2026
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: IEC 63601-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 3.2.2026
SKU: NS-1260470
Zahl der Seiten: 44
Gewicht ca.: 132 g (0.29 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
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Die Annotation des Normtextes IEC 63601-ed.1.0 :
IEC 63601:2026 covers SiC-based PECS devices having a gate dielectric region biased to turn devices on and off. This typically refers to MOS devices such as MOSFETs and IGBTs. In this document, only NMOS (N-type MOS) devices are discussed as these are dominant for power device applications; however, the procedures apply to PMOS (P-type MOS) devices as well. This document does not define device failure criteria, acceptable use conditions or acceptable lifetime targets. That is up to the device manufacturers and users. However, it provides stress procedures such that the threshold voltage stability over time as affected by gate bias and temperature can be demonstrated and evaluated.
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