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Semiconductor devices. Discrete devices. Bipolar transistors for power switching applications.
UNGÜLTIG herausgegeben am 19.1.2006
Ausgewählte Ausführung:Discrete semiconductor devices and integrated circuits. Bipolar transistors.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.6.2001
Ausgewählte Ausführung:Discrete semiconductor devices and integrated circuits. Field-effect transistors. Additional ratings and characteristics and amds in the measuring methods for power switching field effect transistors..
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.6.2001
Ausgewählte Ausführung:Semiconductor devices. Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).
UNGÜLTIG herausgegeben am 17.1.2003
Ausgewählte Ausführung:Semiconductor devices. Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).
UNGÜLTIG herausgegeben am 30.11.2007
Ausgewählte Ausführung:Semiconductor devices. Integrated circuits. Digital integrated circuits. Family specification. Low voltage integrated circuits.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.4.2001
Ausgewählte Ausführung:Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods. Mechanical shock.
UNGÜLTIG herausgegeben am 17.9.2002
Ausgewählte Ausführung:Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods. Vibration, variable frequency.
UNGÜLTIG herausgegeben am 10.9.2002
Ausgewählte Ausführung:Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods. Salt atmosphere.
UNGÜLTIG herausgegeben am 17.9.2002
Ausgewählte Ausführung:Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods. Resistance to soldering temperature for through-hole mounted devices.
UNGÜLTIG herausgegeben am 19.6.2003
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-11-04 (Zahl der Positionen: 2 209 068)
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