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BS 9300C367-368:1971 UNGÜLTIG

Detail specification for silicon fast switching, double ended diodes.

UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971

Ausgewählte Ausführung:
Englisch -
Gedruckt (258.40 EUR)


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258.40


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BS 9300C377-378:1971 UNGÜLTIG

Detail specifications for silicon coaxial mixer diodes.

UNGÜLTIG herausgegeben am 15.4.1971

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158.20


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BS 9300C379-388:1971 UNGÜLTIG

Detail specifications for silicon stud mounted, power rectifier diodes.

UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971

Ausgewählte Ausführung:

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184.90


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BS 9300C397-403:1971 UNGÜLTIG

Detail specification for silicon variable capacitance diodes.

UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971

Ausgewählte Ausführung:
Englisch -
Gedruckt (258.40 EUR)


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258.40


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BS 9300C405-429:1971 UNGÜLTIG

Detail specifications for silicon voltage-regulator diodes.

UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971

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158.20


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BS 9300C451-454:1971 UNGÜLTIG

Detail specification for silicon n-p-n medium power transistors.

UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971

Ausgewählte Ausführung:
Englisch -
Gedruckt (258.40 EUR)


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258.40


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BS 9300C476:1973 UNGÜLTIG

Detail specification for silicon avalanche rectifier diode.

UNGÜLTIG herausgegeben am 15.10.1973

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158.20


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BS 9300C479:1971 UNGÜLTIG

Detail specification for six terminal device, containing two isolated high gain n-p-n silicon planar transistors.

UNGÜLTIG herausgegeben am 15.1.1971

Ausgewählte Ausführung:
Englisch -
Gedruckt (258.40 EUR)


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BS 9300C492:1971 UNGÜLTIG

Detail specification for silicon n-p-n planar transistor intended for low level, low noise amplifier applications.

UNGÜLTIG herausgegeben am 15.2.1971

Ausgewählte Ausführung:
Englisch -
Gedruckt (258.40 EUR)


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258.40


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BS 9300C534:1971 UNGÜLTIG

Detail specification for silicon coaxial resistive switching diode.

UNGÜLTIG herausgegeben am 15.4.1971

Ausgewählte Ausführung:

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158.20


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