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BSi – die Gesellschaft BSi British Standards ist eine nationale Standardisierungsbehörde in Großbritannien (NSB) und als solche war sie die erste in der Welt. Sie vertritt wirtschaftliche und gesellschaftliche Interessen von Großbritannien in allen europäischen und internationalen Standardisierungsorganisationen auch im Rahmen der Entwicklung neuer Lösungen von betrieblichen Informationen für britische Organisationen aller Größen und Branchen. Die Gesellschaft BSi British Standards arbeitet mit Produktionsindustrie sowie mit Dienstleistungsindustrie, mit Betrieben, Regierungen und Verbrauchern zusammen, um die Bildung der britischen, europäischen und internationalen Normen zu erleichtern. Ein Bestandteil der Organisation BSI Group, die Gesellschaft BSI British Standards, arbeitet mit der Regierung Großbritanniens eng zusammen, insbesondere mittels der Abteilung für Innovationen, Universitäten und Fertigkeiten (DIUS).
Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: high power transistors for switching applications.
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1982
Ausgewählte Ausführung:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: switching transistors.
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1982
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.7.1978
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.7.1978
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.7.1978
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.7.1978
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 25 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.1.1979
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.1.1979
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.1.1979
Ausgewählte Ausführung:Rules for the preparation of detail specifications for semiconductor devices of assessed quality: transistors (general).
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1982
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2025-09-22 (Zahl der Positionen: 2 235 431)
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