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GB 9521-1988 UNGÜLTIG

(Detailed specifications of electronic components. 3DD325 silicon NPN. Environmental rated low frequency amplifying transistor (for certification))

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988

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GB 9522-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic components--Ambie-nt-rated transistor for type 3DG1815 silicon NPN for high frequency amplification

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988

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GB 9523-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic component--Silicon single phase bridge rectifier type for QL 62

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Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113

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GB 9525-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113

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GB 9526-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2CC22 and 2CC27

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GB 9527-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic component--Silicon turing variable capacitance diodes for types 2cc23 and 2cc28

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GB 9528-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29

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GB 9529-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic component--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes for types 2CC24 and 2CC29

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GB/T 9532-1988 UNGÜLTIG

Designations for LiNbO3 LiTaO3 Bi12GeO20Bi12SiO20 piezoelectric crystals

UNGÜLTIG herausgegeben am 28.6.1988

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