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GB/T 9506.6-1988 UNGÜLTIG

Test method for barium film distribution ofnitrogen-doped getter

UNGÜLTIG herausgegeben am 25.6.1988

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208.30


in 2 Werktagen
GB/T 9506.7-1988 UNGÜLTIG

Test method for gettering properties ofbarium flash getter

UNGÜLTIG herausgegeben am 25.6.1988

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292.00


in 3 Werktagen
GB/T 9506.8-1988 UNGÜLTIG

Test method for gettering properties ofnon-evaporable getter

UNGÜLTIG herausgegeben am 25.6.1988

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208.30


in 2 Werktagen
GB/T 9506.9-1988 UNGÜLTIG

Test method for amount of filling getter

UNGÜLTIG herausgegeben am 25.6.1988

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208.30


in 2 Werktagen
GB 9507-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG844 silicon PNP for high frequency amplification

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988

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543.10


in 4 Werktagen
GB 9508-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988

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501.30


in 4 Werktagen
GB 9509-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988

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501.30


in 4 Werktagen
GB 9510-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3DG2271 silicon NPN for high frequency amplification

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988

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501.30


in 4 Werktagen
GB 9511-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic components--Case-rated transistor for type 3DD401 silicon NPN for low frequency amplification

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988

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543.10


in 4 Werktagen
GB 9512-1988 UNGÜLTIG

Detail specification for electronic components--Case-rated transistor for type 3CD546 silicon PNP for low frequency amplification

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988

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585.00


in 4 Werktagen

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