Wir benötigen Ihre Einwilligung zur Verwendung der einzelnen Daten, damit Sie unter anderem Informationen zu Ihren Interessen einsehen können. Klicken Sie auf "OK", um Ihre Zustimmung zu erteilen.
Die Normen GB sind chinesische Nationalnormen, die von Chinesischen Standardisierungs-Verwaltungsbehörde (SAC) herausgegeben werden.
Unter dem üblichen Namen GB werden die chinesischen Nationalnormen in dem ganzen China verwendet und sie beinhalten die Produktanforderungen bezüglich der Sicherheit und Qualität der Produkte.
Die Normen GB sind oft nach internationalen Normen ISO, IEC sowie nach anderen internationalen Normen geregelt oder direkt gebildet. Obwohl sie im großen Maß harmonisiert werden, können sich die GB-Normen von internationalen Normen unterscheiden.
Ungefähr 15% aller GB-Normen sind verbindlich und können dank dem Präfix GB, nach dem der Kode der Norm folgt, erkannt werden:
GB - Verbindliche Nationalnormen
GB/T - Freiwillige Nationalnormen
GB/Z - Nationales technisches Lenkungsdokument
Detail specification for electronic components high-frequency amplification transistor for silicon NPN ambient-rated for type 3DG 2636
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic components high-frequency amplification transistor for silicon NPN ambient-rated for type 3DG3077
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD204
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD207
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD207
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:(Detailed specifications of electronic components. 3DD325 silicon NPN. Environmental rated low frequency amplifying transistor (for certification))
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic components--Ambie-nt-rated transistor for type 3DG1815 silicon NPN for high frequency amplification
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic component--Silicon single phase bridge rectifier type for QL 62
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic component--Silicon switching diodes for types 2CK111 2CK112 and 2CK113
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-04-06 (Zahl der Positionen: 2 271 069)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.