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Die Normen GB sind chinesische Nationalnormen, die von Chinesischen Standardisierungs-Verwaltungsbehörde (SAC) herausgegeben werden.
Unter dem üblichen Namen GB werden die chinesischen Nationalnormen in dem ganzen China verwendet und sie beinhalten die Produktanforderungen bezüglich der Sicherheit und Qualität der Produkte.
Die Normen GB sind oft nach internationalen Normen ISO, IEC sowie nach anderen internationalen Normen geregelt oder direkt gebildet. Obwohl sie im großen Maß harmonisiert werden, können sich die GB-Normen von internationalen Normen unterscheiden.
Ungefähr 15% aller GB-Normen sind verbindlich und können dank dem Präfix GB, nach dem der Kode der Norm folgt, erkannt werden:
GB - Verbindliche Nationalnormen
GB/T - Freiwillige Nationalnormen
GB/Z - Nationales technisches Lenkungsdokument
Test method for nitrogen-released and gas-absorbed dynamic curve of nitrogen-doped getter
UNGÜLTIG herausgegeben am 25.6.1988
Ausgewählte Ausführung:Test method for barium film distribution ofnitrogen-doped getter
UNGÜLTIG herausgegeben am 25.6.1988
Ausgewählte Ausführung:Test method for gettering properties ofbarium flash getter
UNGÜLTIG herausgegeben am 25.6.1988
Ausgewählte Ausführung:Test method for gettering properties ofnon-evaporable getter
UNGÜLTIG herausgegeben am 25.6.1988
Ausgewählte Ausführung:Test method for amount of filling getter
UNGÜLTIG herausgegeben am 25.6.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG844 silicon PNP for high frequency amplification
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3CG778 silicon PNP for high frequency amplification
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic components--Ambient-rated transistor for type 3DG2271 silicon NPN for high frequency amplification
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for electronic components--Case-rated transistor for type 3DD401 silicon NPN for low frequency amplification
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-08-21 (Zahl der Positionen: 2 298 377)
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