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Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 11: Rapid change of temperature - Two-fluid-bath method
Automatische name übersetzung:
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Schnelle Temperaturwechsel - Zwei-Fluid-Bad-Methode
NORM herausgegeben am 12.4.2002
Bezeichnung normen: IEC 60749-11-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 12.4.2002
SKU: NS-411366
Zahl der Seiten: 13
Gewicht ca.: 39 g (0.09 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
Defines the rapid change of temperature test method and the two-fluid-bath method. This test method may also be used, employing fewer cycles, to test the effect of immersion in heated liquids that are used for the purpose of cleaning devices. This test is applicable to all semiconductor devices. It is considered destructive unless otherwise detailed in the relevant specification. The contents of the corrigenda of January 2003 and August 2003 have been included in this copy. Definit la methode dessai de variations rapides de temperature et la methode des deux bains. Cette derniere methode dessai peut egale-ment etre utilisee, en appliquant moins de cycles, pour determiner leffet de limmersion dans des liquides chauds qui est utilisee pour le nettoyage des dispositifs. Cet essai est applicable a tous les dispositifs a semiconducteurs. Il est considere comme destructif, sauf stipulation contraire dans la specification applicable. Le contenu des corrigenda de janvier 2003 et daout 2003 a ete pris en consideration dans cet exemplaire.
Corrigendum 1 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 11: Rapid change of temperature - Two-fluid-bath method
(Corrigendum 1 - Dispositifs a semiconducteurs - Methodes d´essais mecaniques et climatiques - Partie 11: Variations rapides de temperature - Methode des deux bains)
Korrektur herausgegeben am 30.1.2003
Ausgewählte Ausführung:
Corrigendum 2 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 11: Rapid change of temperature - Two-fluid-bath method
(Corrigendum 2 - Dispositifs a semiconducteurs - Methodes d´essais mecaniques et climatiques - Partie 11: Variations rapides de temperature - Methode des deux bains)
Korrektur herausgegeben am 13.8.2003
Ausgewählte Ausführung:20.12.1996
9.5.1997
22.12.1998
29.7.1999
30.9.1999
16.6.2000
Letzte Aktualisierung: 2026-01-26 (Zahl der Positionen: 2 257 479)
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