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IEC 62047-9-ed.1.0
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS
Automatische name übersetzung:
Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Geräte - Teil 9: Wafer zu Haftfestigkeitsmessung für MEMS-Wafer
NORM herausgegeben am 13.7.2011
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: IEC 62047-9-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 13.7.2011
SKU: NS-414117
Zahl der Seiten: 49
Gewicht ca.: 147 g (0.32 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
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Die Annotation des Normtextes IEC 62047-9-ed.1.0 :
IEC 62047-9:2011 describes bonding strength measurement method of wafer to wafer bonding, type of bonding process such as silicon to silicon fusion bonding, silicon to glass anodic bonding, etc., and applicable structure size during MEMS processing/assembly. The applicable wafer thickness is in the range of 10 ohmm to several millimeters. The contents of the corrigendum of March 2012 have been included in this copy. La CEI 62047-9:2011 decrit une methode de mesure de la resistance de collage de deux plaquettes, le type de processus de liaison, par exemple le collage par fusion de deux plaquettes de silicium, le collage anodique dune plaquette de silicium et dune plaquette de verre, etc., et la taille de la structure applicable pendant le traitement ou lassemblage de systemes microelectromecaniques (MEMS). Lepaisseur de plaquette applicable est dans la gamme comprise entre 10 ohmm et plusieurs millimetres. Le contenu du corrigendum de mars 2012 a ete pris en consideration dans cet exemplaire.
Zugehörige Korrekturen zu dieser Norm:
IEC 62047-9-ed.1.0/Cor.1
Korrektur
Alle technischen Informationen anzeigen
Corrigendum 1 - Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS
(Corrigendum 1 - Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs microelectromecaniques - Partie 9: Mesure de la resistance de collage de deux plaquettes pour les MEMS)
Korrektur herausgegeben am 8.3.2012
Ausgewählte Ausführung:Alle technischen Informationen anzeigen
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