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Detail specifications for silicon voltage-regulator diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon n-p-n medium power transistors.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon avalanche rectifier diode.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.10.1973
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for six terminal device, containing two isolated high gain n-p-n silicon planar transistors.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.1.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon n-p-n planar transistor intended for low level, low noise amplifier applications.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.2.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon coaxial resistive switching diode.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.4.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specifications for silicon power rectifier diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specifications for silicon power rectifier diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specifications for silicon power rectifier diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.1.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specifications for reverse blocking triode thyristors.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-09-26 (Zahl der Positionen: 2 303 340)
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