Wir benötigen Ihre Einwilligung zur Verwendung der einzelnen Daten, damit Sie unter anderem Informationen zu Ihren Interessen einsehen können. Klicken Sie auf "OK", um Ihre Zustimmung zu erteilen.
Detail specification for silicon n-p-n high frequency planar transistor.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon microwave switching diode, rod mounted.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon n-p-n planar epitaxial transistors.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon stud mounted, reverse blocking triode thyristors.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon avalanche rectifier diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.8.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon voltage regulator diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for mixer diodes for use at X-band frequencies.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for coaxial mixer diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.4.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for germanium coaxial mixer diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.4.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for a matched pair of germanium coaxial mixer diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.4.1971
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-09-26 (Zahl der Positionen: 2 303 340)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.