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DIN – ist geschützte Bezeichnung der deutschen nationalen technischen Normen.
VDE 0884-5/A1. Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-5: Optoelectronic devices - Photocouplers.
(VDE 0884-5/A1. Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente - Optokoppler.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.12.2011
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-6: Optoelectronic devices - Light emitting diodes.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 5-6: Optoelektronische Bauelemente - Lichtemittierende Dioden.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.12.2011
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-7: Optoelectronic devices - Photodiodes and phototransistors.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente - Photodioden und Phototransistoren.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.12.2011
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices; discrete devices and integrated circuits; optoelectronic devices; identical with IEC 60747-5:1984.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente und Integrierte Schaltungen - Optoelektronische Halbleiterbauelemente.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.12.1988
Ausgewählte Ausführung:
VDE 0884. Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Part 5: Optoelectronic devices.
(VDE 0884. Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5: Optoelektronische Bauelemente.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.10.1996
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Part 6: Thyristors; Section two: Blank detail specification for bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A; Identical with IEC 60747-6-2:1991.
(Halbleiterbauelemente - Teil 6: Thyristoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für Zweirichtungs-Thyristortrioden (Triacs), umgebungs- oder gehäusetemperaturbezogen bis 100 A.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.1992
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Thyristors; Identical with CEI 747-6, edition 1983.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente und Integrierte Schaltungen.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.6.1987
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 6: Thyristoren.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.2013
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Part 7: Bipolar transistors; Section one: Blank detail specification for low power amplification transistors; Identical with IEC 60747-7-1:1989.
(Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolare Transistoren; Hauptabschnitt 1: Vordruck für Bauartspezifikationen für Kleinleistungs-Verstärker-Transistoren.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.1992
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Part 7: Bipolar transistors; Section two: Blank detail specification for case-rated transistors for low-frequency amplification; Identical with IEC 60747-7-2:1989.
(Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolare Transistoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für gehäusebezogene Transistoren für NF-Verstärkeranwendungen.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.1992
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-04-24 (Zahl der Positionen: 2 274 650)
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