Normen DIN - Deutsche nationale Normen - Seite Nr. 16509

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7-5: Bipolar transistors (BTRs) for power switching applications.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 7-5: Bipolare Transistoren für Leistungsschaltanwendungen.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.2003

Semiconductor discrete devices and integrated circuits - Part 7: Bipolar transistors.
(Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 7: Bipolartransistoren.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.12.1997

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors (BTRs).
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolartransistoren.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.9.2007

Semiconductor devices - Field-effect transistors; Section one: Blank detail specification for single-gate field-effect tramsistors up to 5 W and 1 GHz; Identical with IEC 60747-8-1:1987.
(Halbleiterbauelemente - Feldeffekttransistoren; Hauptabschnitt 1: Vordruck für Bauartspezifikationen für Feldeffekttransistoren mit einer Gate-Elektrode bis 5 W und 1 GHz.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.7.1991

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8-12: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications.
(Halbleiterbauelemente - Einzelbauelemente - Teil 8-12: Metalloxidschicht-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschalteranwendungen.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.12.2001

Semiconductor devices - Discrete devices - Field-effect transistors; Identical with IEC 60747-8:1984.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Feldeffekttransistoren.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.8.1989

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors.
(Halbleiterbauelemente - Einzelhalbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.6.2007

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated gate bipolar transistors (IGBTs).
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs).)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.9.2004

Semiconductor devices; integrated circuits; part 1: general; identical with IEC 60748-1, edition 1984.
(Halbleiterbauelemente; Integrierte Schaltungen; Allgemeines.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.1988

Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2-20: Digital integrated circuits - Family specification - Low voltage integrated circuits.
(Halbleiterbauelemente - Integrierte Schaltungen - Teil 2-20: Digitale integrierte Schaltungen - Familienspezifikation - Integrierte Schaltungen mit niedrigen Versorgungsspannungen.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.12.2006