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Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
Die Norm herausgegeben am 25.6.2021
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
(Dispositifs a semiconducteurs - Partie 9: Dispositifs discrets - Transistors bipolaires a grille isolee (IGBT))
Die Norm herausgegeben am 13.11.2019
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 1: General
(Dispositifs a semiconducteurs - Circuits integres - Partie 1: Generalites)
Die Norm herausgegeben am 8.5.2002
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 11-1: Internal visual examination for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits
(Dispositifs a semiconducteurs - Circuits integres - Partie 11-1: Examen visuel interne pour les circuits integres a semiconducteurs a l´exclusion des circuits hybrides)
Die Norm herausgegeben am 1.4.1992
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 11: Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits
(Dispositifs a semiconducteurs - Circuits integres - Partie 11: Specification intermediaire pour les circuits integres a semiconducteurs a l´exclusion des circuits hybrides)
Die Norm herausgegeben am 20.12.1990
Ausgewählte Ausführung:
Amendment 1 - Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 11: Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits
(Amendement 1 - Dispositifs a semiconducteurs - Circuits integres - Partie 11: Specification intermediaire pour les circuits integres a semiconducteurs a l´exclusion des circuits hybrides)
Änderung herausgegeben am 6.6.1995
Ausgewählte Ausführung:
Amendment 2 - Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 11: Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits
(Amendement 2 - Dispositifs a semiconducteurs - Circuits integres - Onzieme partie: Specification intermediaire pour les circuits integres a semiconducteurs a l´exclusion des circuits hybrides)
Änderung herausgegeben am 16.4.1999
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2-1: Digital integrated circuits - Blank detail specification for bipolar monolithic digital integrated circuit gates (excluding uncommitted logic arrays)
(Dispositifs a semiconducteurs - Circuits integres - Partie 2-1: Circuits integres numeriques - Specification particuliere cadre pour les portes bipolaires a circuits integres monolithiques (non valable pour les reseaux logiques prediffuses))
Die Norm herausgegeben am 1.10.1991
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2: Digital integrated circuits - Section 10: Blank detail specification for integrated circuit dynamic read/write memories
(Dispositifs a semiconducteurs - Circuits integres - Partie 2: Circuits integres numeriques - Section 10: Specification particuliere cadre pour les memoires a circuits integres a lecture-ecriture a fonctionnement dynamique)
Die Norm herausgegeben am 21.12.1994
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2-11: Digital integrated circuits - Blank detail specification for single supply integrated circuit, electrically erasable, and programmable read-only memory
(Dispositifs a semiconducteurs - Circuits integres - Partie 2-11: Circuits integres numeriques - Specification particuliere cadre pour memoires mortes a circuits integres, a alimentation unique, effacables et programmables electriquement)
Die Norm herausgegeben am 12.4.1999
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-07-15 (Zahl der Positionen: 2 287 995)
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