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Semiconductor devices - Part 5-6: Optoelectronic devices - Light emitting diodes
Die Norm herausgegeben am 6.7.2021
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Part 5-7: Optoelectronic devices - Photodiodes and phototransistors
(Dispositifs a semiconducteurs - Partie 5-7: Dispositifs optoelectroniques - Photodiodes et phototransistors)
Die Norm herausgegeben am 23.2.2016
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Part 5-8: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of optoelectronic efficiencies of light emitting diodes
(Dispositifs a semiconducteurs - Partie 5-8 : Dispositifs optoelectroniques - Diodes electroluminescentes - Methode d’essai des efficacites optoelectroniques des diodes electroluminescentes)
Die Norm herausgegeben am 13.11.2019
Ausgewählte Ausführung:Semiconductor devices - Part 5-9: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the temperature-dependent electroluminescence
Die Norm herausgegeben am 11.12.2019
Ausgewählte Ausführung:Semiconductor devices - Part 6: Discrete devices - Thyristors
Die Norm herausgegeben am 30.9.2025
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
(Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires)
Die Norm herausgegeben am 16.12.2010
Ausgewählte Ausführung:
Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
(Amendement 1 - Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires)
Änderung herausgegeben am 23.9.2019
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
(Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires)
Die Norm herausgegeben am 23.9.2019
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
(Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8: Transistors a effet de champ)
Die Norm herausgegeben am 15.12.2010
Ausgewählte Ausführung:Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
Änderung herausgegeben am 25.6.2021
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-07-15 (Zahl der Positionen: 2 287 995)
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