DIN - Deutsche nationale Normen - Seite Nr. 17386

Normen DIN - Deutsche nationale Normen - Seite Nr. 17386

DIN – ist geschützte Bezeichnung der deutschen nationalen technischen Normen.

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E DIN EN 62047-27:2015-08 UNGÜLTIG

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 27: Bond strength test for glass frit bonded structures using micro-chevron-tests (MCT).
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 27: Prüfung der Bondfestigkeit von Glasfritt gebondeten Strukturen unter Verwendung des Mikro-Chevron-Tests (MCT).)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.8.2015

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91.00


in 7 Werktagen
E DIN EN 62047-28:2015-09 UNGÜLTIG

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 28: Performance testing method of vibration-driven MEMS electret energy harvesting devices.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 28: Prüfverfahren der Funktionsfähigkeit für schwingungsbasierte MEMS-Elektret-Bauelemente zum Energy-Harvesting.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.9.2015

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in 7 Werktagen
E DIN EN 62047-29:2016-08 UNGÜLTIG

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 29: Electromechanical relaxation test method for freestanding conductive thin-films under room temperature.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 29: Elektromechanisches Relaxations-Prüfverfahren für freistehende elektrisch leitende Dünnschichten bei Raumtemperatur.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.8.2016

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69.90


in 7 Werktagen
E DIN IEC 62047-3:2004-08 UNGÜLTIG

Microelectromechanical devices - Part 3: Thin film standard test piece.
(Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.8.2004

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41.80


in 7 Werktagen
E DIN EN 62047-30:2016-08 UNGÜLTIG

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 30: Messverfahren für Kenngrößen der elektromechanischen Energiewandlung bei piezoelektrischen MEMS-Dünnschichten.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.8.2016

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105.40


in 7 Werktagen
E DIN IEC 62047-4:2006-09 UNGÜLTIG

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 4: Generic specification for MEMS.
(Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Bauteile der Mikrosystemtechnik.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.9.2006

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111.40


in 7 Werktagen
E DIN IEC 62047-5:2008-02 UNGÜLTIG

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 5: RF MEMS Switches.
(Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 5: Mikro-elektromechanische Schalter für Hochfrequenzanwendungen (HF-MEMS-Schalter).)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.2.2008

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116.60


in 7 Werktagen
E DIN IEC 62047-6:2007-07 UNGÜLTIG

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 6: Axial fatigue testing methods of thin film materials.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 6: Prüfverfahren zur uniaxialen Dauerschwingfestigkeit von Dünnschicht-Werkstoffen.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.7.2007

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91.00


in 7 Werktagen
E DIN IEC 62047-7:2008-09 UNGÜLTIG

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 7: MEMS FBAR Filter & Duplexer.
(Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 7: FBAR-MEMS-Filter und -Duplexer.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.9.2008

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111.40


in 7 Werktagen
E DIN IEC 62047-8:2008-05 UNGÜLTIG

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 8: Strip bending test method for tensile property measurement of thin films.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 8: Streifen-Biege-Prüfverfahren zur Messung von Zugbeanspruchungsmerkmalen dünner Schichten.)

UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.2008

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98.30


in 7 Werktagen

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