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DIN – ist geschützte Bezeichnung der deutschen nationalen technischen Normen.
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 16: Messverfahren zur Ermittlung der Eigenspannungen in Dünnschichten von MEMS-Bauteilen - Substratkrümmungs- und Biegebalken-Verfahren.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.11.2012
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro- electromechanical devices - Part 17: Bulge test method for measuring mechanical properties of thin film.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 17: Wölbungs-Prüfverfahren zur Bestimmung mechanischer Eigenschaften dünner Schichten.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.6.2011
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 18: Bending test methods of thin film materials.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtwerkstoffe.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.6.2011
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 19: Electronic compasses.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 19: Elektronische Kompasse.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.11.2011
Ausgewählte Ausführung:
Microelectromechanical devices - Part 2: Tensile testing method of thin film materials.
(Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 2: Prüfverfahren zur Zugbeanspruchung bei Dünnschicht-Werkstoffen.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.8.2004
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 20: Gyroscopes.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 20: Gyroskope.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.7.2012
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 21: Test method for Poisson´s ratio of thin film MEMS materials.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 21: Prüfverfahren zur Querkontraktionszahl von Dünnschichtwerkstoffen der Mikrosytsemtechnik.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.11.2012
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 22: Electromechanical tensile test method for conductive thin films on flexible substrates.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 22: Elektromechanisches Zug-Prüfverfahren für leitfähige Dünnschichten auf flexiblen Substraten.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.11.2012
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 25: Silicon-based MEMS fabrication technology - Measurement method of pull-press and shearing strength of micro bonding area.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 25: Siliziumbasierte MEMS-Herstellungstechnologie - Messverfahren zur Zug-Druck- und Scherfestigkeit gebondeter Flächen im Mikrometerbereich.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.2014
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needle structures.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 26: Beschreibung und Messverfahren für Mikro-Rillen und Nadelstrukturen.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.2014
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-08-09 (Zahl der Positionen: 2 292 444)
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