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DIN – ist geschützte Bezeichnung der deutschen nationalen technischen Normen.
Semiconductor devices - Part 1: Microelectromechanical devices; Terms and definitions.
(Halbleiterbauelemente - Teil 1: Bauteile der Mikrosystemtechnik; Begriffe und Definitionen.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.10.2003
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 1: Terms and definitions.
(Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe und Definitionen.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.10.2006
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 1: Terms and definitions.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.2014
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 10: Micropillar compression test for MEMS materials.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 10: Druckprüfverfahren an zylinderförmigen Mikroproben für Werkstoffe der Mikrosystemtechnik.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.2010
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 11: Test method for linear thermal expansion coefficients of MEMS materials.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 11: Prüfverfahren für lineare thermische Ausdehnungskoeffizienten für Werkstoffe der Mikrosystemtechnik.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.6.2010
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 12: A method for fatigue testing thin film materials using the resonant vibration of a MEMS structure.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 12: Verfahren zur Prüfung der Ermüdungsfestigkeit von Dünnschichtwerkstoffen unter Verwendung der Resonanzschwingungen bei MEMS-Strukturen.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.2010
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro electro mechanical devices - Part 13: Bend- and shear- test methods of measuring adhesive strength for MEMS structures.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 13: Biege- und Scherprüfverfahren zur Messung der Haftfestigkeit mikromechanischer Strukturen.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.2010
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 14: Forming limit measuring method of metallic film materials.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 14: Verfahren zur Ermittlung der Grenzformänderung metallischer Dünnschichtwerkstoffe.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.10.2010
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 15: Test method of bonding quality between PDMS and glass.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 15: Prüfverfahren zur Bondqualität zwischen PDMS und Glas.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.11.2012
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 15: Test method of bonding strength between PDMS and glass.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 15: Prüfverfahren zur Bondqualität zwischen PDMS und Glas.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.1.2016
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-08-09 (Zahl der Positionen: 2 292 444)
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