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DIN – ist geschützte Bezeichnung der deutschen nationalen technischen Normen.
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 21: Test method for Poisson´s ratio of thin film MEMS materials.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 21: Prüfverfahren zur Querkontraktionszahl von Dünnschichtwerkstoffen der Mikrosytsemtechnik.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.11.2012
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 22: Electromechanical tensile test method for conductive thin films on flexible substrates.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 22: Elektromechanisches Zug-Prüfverfahren für leitfähige Dünnschichten auf flexiblen Substraten.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.11.2012
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 25: Silicon-based MEMS fabrication technology - Measurement method of pull-press and shearing strength of micro bonding area.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 25: Siliziumbasierte MEMS-Herstellungstechnologie - Messverfahren zur Zug-Druck- und Scherfestigkeit gebondeter Flächen im Mikrometerbereich.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.2014
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needle structures.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 26: Beschreibung und Messverfahren für Mikro-Rillen und Nadelstrukturen.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.5.2014
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 27: Bond strength test for glass frit bonded structures using micro-chevron-tests (MCT).
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 27: Prüfung der Bondfestigkeit von Glasfritt gebondeten Strukturen unter Verwendung des Mikro-Chevron-Tests (MCT).)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.8.2015
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 28: Performance testing method of vibration-driven MEMS electret energy harvesting devices.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 28: Prüfverfahren der Funktionsfähigkeit für schwingungsbasierte MEMS-Elektret-Bauelemente zum Energy-Harvesting.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.9.2015
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 29: Electromechanical relaxation test method for freestanding conductive thin-films under room temperature.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 29: Elektromechanisches Relaxations-Prüfverfahren für freistehende elektrisch leitende Dünnschichten bei Raumtemperatur.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.8.2016
Ausgewählte Ausführung:
Microelectromechanical devices - Part 3: Thin film standard test piece.
(Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.8.2004
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film.
(Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 30: Messverfahren für Kenngrößen der elektromechanischen Energiewandlung bei piezoelektrischen MEMS-Dünnschichten.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.8.2016
Ausgewählte Ausführung:
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 4: Generic specification for MEMS.
(Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Bauteile der Mikrosystemtechnik.)
UNGÜLTIG herausgegeben am 1.9.2006
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2026-10-21 (Zahl der Positionen: 2 307 910)
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